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SI1401EDH-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 12V 4 A (Tc) 1.6 W (Ta), 2.8 W (Tc) SC-70-6 (SOT-363)
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1401EDH-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1401EDH-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
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Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 12V 4 A (Tc) 1.6 W (Ta), 2.8 W (Tc) SC-70-6 (SOT-363)

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1401EDH
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 12V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 34 mOhm a 5.5 A, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 8V
Vgs (máx.) ±10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.6 W (Ta), 2.8 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6 (SOT-363)
Paquete / Caja (carcasa) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1401EDH-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.51000 $0.51
10 0.42600 $4.26
100 0.31980 $31.98
500 0.23454 $117.27
1,000 0.18123 $181.23
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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1401EDH-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
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11:36:28 9/23/2018