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SI1317DL-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 1.4 A (Tc) 500mW (Tc) SOT-323
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.36300 $3.63
100 0.24720 $24.72
500 0.18540 $92.70
1,000 0.13905 $139.05
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI1317DL-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 21,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.12375
  • Digi-Reel®  : SI1317DL-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 23,798 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI1317DL-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI1317DL-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI1317DL-T1-GE3
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Descripción MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 1.4 A (Tc) 500mW (Tc) SOT-323

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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.5nC @ 4.5V
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150mOhm a 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (máx.) en Id 800mV a 250µA
Vgs (máx.) ±8V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 500mW (Tc)
Temperatura de operación -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-323
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 272pF @ 10V
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI1317DL-T1-GE3CT