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SI1308EDL-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 30V 1.4 A (Tc) 400 mW (Ta), 500 mW (Tc) SOT-323
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100 0.30510 $30.51
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1308EDL-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 106,481
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1308EDL-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 30V 1.4A SC-70-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 1.4 A (Tc) 400 mW (Ta), 500 mW (Tc) SOT-323

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1308EDL
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Wafer Site 12/Sep/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 2.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 132 mOhm a 1.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.5 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.1nC @ 10V
Vgs (máx.) ±12 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 105pF @ 15V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 400 mW (Ta), 500 mW (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-323
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1308EDL-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1308EDL-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 105,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 106,481 - Inmediata
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