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SI1302DL-T1-E3 Canal N Montaje en superficie 30V 600 mA (Ta) 280 mW (Ta) SC-70-3
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1302DL-T1-E3CT-ND
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Cantidad disponible 156,556
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1302DL-T1-E3

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Descripción MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 30V 600 mA (Ta) 280 mW (Ta) SC-70-3

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1302DL
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 600 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 480 mOhm a 600 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.4nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 280 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-3
Paquete / Caja (carcasa) SC-70, SOT-323
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1302DL-T1-E3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Cantidad disponible: 156,556 - Inmediata
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21:58:31 11/18/2018