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SI1062X-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 220 mW (Ta) SC-89-3
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1 0.57000 $0.57
10 0.40800 $4.08
100 0.24020 $24.02
500 0.13596 $67.98
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1062X-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 11,418
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1062X-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 20V SC-89
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 220 mW (Ta) SC-89-3

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1062X
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC -
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 420 mOhm a 500 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.7nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 43pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 220 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-3
Paquete / Caja (carcasa) SC-89, SOT-490
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1062X-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1062X-T1-GE3TR-ND
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14:31:20 2/22/2019