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SI1062X-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 220mW (Ta) SC-89-3
Precio y compra
19,793 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.43000 $0.43
10 0.32000 $3.20
25 0.28000 $7.00
100 0.15200 $15.20
500 0.12400 $62.00
1,000 0.09200 $92.00

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI1062X-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 18,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.08080
  • Digi-Reel®  : SI1062X-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 19,793 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI1062X-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI1062X-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI1062X-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 20V SC-89
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 220mW (Ta) SC-89-3

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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC -
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 420mOhm a 500mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.7nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 43pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 220mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-3
Paquete / Caja (carcasa) SC-89, SOT-490
Número de pieza base SI1062
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI1062X-T1-GE3CT