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SI1032R-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 140 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-75A
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10 0.40400 $4.04
100 0.27760 $27.76
500 0.19034 $95.17
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1032R-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 31,959
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1032R-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 140 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-75A

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Documentos y medios
Hojas de datos Si1032R,X
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 140 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5 Ohm a 200 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.75nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±6 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-75A
Paquete / Caja (carcasa) SC-75A
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1032R-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1032R-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 30,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.12705
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 31,959 - Inmediata
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23:15:56 11/18/2018