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SI1031R-T1-GE3 Canal P Montaje en superficie 20V 140 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-75A
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10 0.49100 $4.91
100 0.33710 $33.71
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1031R-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 10,675
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1031R-T1-GE3

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Descripción MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 20V 140 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-75A

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1031R,X
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 140 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 Ohm a 150 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1.2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±6 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-75A
Paquete / Caja (carcasa) SC-75A
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1031R-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1031R-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
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  • Cantidad disponible: 10,675 - Inmediata
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08:17:35 12/11/2018