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SI1029X-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Canal N y P 60 V 305 mA, 190 mA 250 mW Montaje en superficie SC-89-6
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1029X-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 85,134
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1029X-T1-GE3

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Descripción MOSFET N/P-CH 60V SC89-6
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Canal N y P 60 V 305 mA, 190 mA 250 mW Montaje en superficie SC-89-6

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Documentos y medios
Hojas de datos Si1029X
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 305 mA, 190 mA
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.75 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 30 pF a 25 V
Potencia máxima 250 mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-6
Número de pieza base SI1029
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1029X-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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02:35:05 12/16/2018