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SI1023CX-T1-GE3 Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20 V 220mW Montaje en superficie SC-89-6
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100 0.30100 $30.10
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1023CX-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1023CX-T1-GE3

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Descripción MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
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Descripción detallada

Arreglo de MOSFET Dos canal P (doble) 20 V 220mW Montaje en superficie SC-89-6

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1023CX-T1-GE3
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Dos canal P (doble)
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC -
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 756 mOhm a 350 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.5 nC a 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 45pF a 10 V
Potencia máxima 220mW
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-6
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1023CX-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 18,000 - Inmediata
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  • Cantidad disponible: 22,765 - Inmediata
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23:31:46 2/23/2019