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SI1022R-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 330 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-75A
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10 0.50900 $5.09
100 0.38140 $38.14
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1022R-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1022R-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 330 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-75A

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Documentos y medios
Hojas de datos Si1022R
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 330 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.25 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 30pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-75A
Paquete / Caja (carcasa) SC-75A
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1022R-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1022R-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 63,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.19130
  • Digi-Reel® ? : SI1022R-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 65,334 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

00:00:03 11/19/2018