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SI1022R-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 330 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-75A
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1022R-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 98,437
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1022R-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 330 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-75A

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Documentos y medios
Hojas de datos Si1022R
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 330 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.25 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 30pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-75A
Paquete / Caja (carcasa) SC-75A
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1022R-T1-GE3CT
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.63000 $0.63
10 0.53200 $5.32
100 0.39870 $39.87
500 0.29240 $146.20
1,000 0.22594 $225.94

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1022R-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 96,000 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 98,437 - Inmediata
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17:22:12 9/18/2018