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SI1016CX-T1-GE3 MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 220mW Montaje en superficie SC-89-6
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120,234 En Stock
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.45000 $0.45
10 0.36200 $3.62
25 0.33120 $8.28
100 0.20790 $20.79
500 0.19250 $96.25
1,000 0.13090 $130.90
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI1016CX-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 117,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.12551
  • Digi-Reel®  : SI1016CX-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 120,234 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI1016CX-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI1016CX-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI1016CX-T1-GE3
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Descripción MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

MOSFET - Arreglos Canal N y P 20V 220mW Montaje en superficie SC-89-6

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Documentos y medios
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Hoja de datos de HTML SI1016CX-T1-GE3
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N y P
Característica de FET Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC -
Rds On (máx) @ Id, Vgs 396mOhm a 500mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2nC a 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 43pF a 10V
Potencia - Máx. 220mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-6
Número de pieza base SI1016
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI1016CX-T1-GE3CT