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SI1012X-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 500 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-89-3
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1 0.59000 $0.59
10 0.46200 $4.62
100 0.31720 $31.72
500 0.21754 $108.77
1,000 0.16315 $163.15

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1012X-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 41,670
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1012X-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
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Plazo estándar del fabricante 33 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 500 mA (Ta) 250 mW (Ta) SC-89-3

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1012R,X
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 500 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 700 mOhm a 600 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 900 mV a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.75nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±6 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-89-3
Paquete / Caja (carcasa) SC-89, SOT-490
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1012X-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 39,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.14520
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 41,670 - Inmediata
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01:20:48 10/21/2018