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SI1012R-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) SC-75A
Precio y compra
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Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.46000 $0.46
10 0.37600 $3.76
25 0.34400 $8.60
100 0.21600 $21.60
500 0.20000 $100.00
1,000 0.13600 $136.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : SI1012R-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 51,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.13040
  • Digi-Reel®  : SI1012R-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 51,716 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

SI1012R-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key SI1012R-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante SI1012R-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 500mA (Ta) 150mW (Ta) SC-75A

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1012R,X
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 500mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 700mOhm a 600mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id 900mV a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.75nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±6V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 150mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-75A
Paquete / Caja (carcasa) SC-75A
Número de pieza base SI1012
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres SI1012R-T1-GE3CT