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SI1012CR-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 20V 240 mW (Ta) SC-75A
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.60000 $0.60
10 0.42400 $4.24
100 0.27990 $27.99
500 0.16768 $83.84
1,000 0.13030 $130.30
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key SI1012CR-T1-GE3CT-ND
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Cantidad disponible 27,124
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

SI1012CR-T1-GE3

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Descripción MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-75A
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 20V 240 mW (Ta) SC-75A

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Documentos y medios
Hojas de datos SI1012CR-T1-GE3
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC -
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5 V, 4.5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 396 mOhm a 600 mA, 4.5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 1 V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2nC @ 8V
Vgs (máx.) ±8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 43pF @ 10V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 240 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SC-75A
Paquete / Caja (carcasa) SC-75, SOT-416
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres SI1012CR-T1-GE3CT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : SI1012CR-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 27,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.11440
  • Digi-Reel® ? : SI1012CR-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 27,124 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

23:14:28 2/18/2019