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IRLZ34SPBF Canal N Montaje en superficie 60V 30 A (Tc) 3.7 W (Ta), 88 W (Tc) TO-263 (D²Pak)
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10 2.15300 $21.53
100 1.73000 $173.00
500 1.34558 $672.79
1,000 1.11491 $1,114.91
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Información general del producto
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRLZ34SPBF

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Descripción MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 30 A (Tc) 3.7 W (Ta), 88 W (Tc) TO-263 (D²Pak)

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLZ34S/L
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 50 mOhm a 18 A, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 35nC @ 5V
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1600pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7 W (Ta), 88 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

12:51:27 10/19/2018