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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.70000 $0.70
10 0.61600 $6.16
25 0.57880 $14.47
100 0.42010 $42.01
500 0.35100 $175.50
1,000 0.29872 $298.72
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRLL110PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 7,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.28005
  • Digi-Reel®  : IRLL110PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 10,383 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRLL110TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRLL110PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRLL110TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 1.5 A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos IRLL110
Diseño/especificación de PCN Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015
Archivo de video
Hoja de datos de HTML IRLL110
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 540mOhm a 900mA, 5V
Vgs(th) (máx) a Id 2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.1nC @ 5V
Vgs (máx.) ±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Número de pieza base IRLL110
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRLL110TRPBF
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