Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRLD110PBF-ND
Cantidad disponible 10
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRLD110PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 1 A (Ta) 1.3 W (Ta) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Documentos y medios
Hojas de datos IRLD110
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.1nC @ 5V
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 250pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 540 mOhm a 600 mA, 5 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 100
Otros nombres *IRLD110PBF

05:01:58 2/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.07000 $1.07
10 0.95100 $9.51
100 0.75160 $75.16
500 0.58290 $291.45
1,000 0.46019 $460.19

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario