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1 2.73000 $2.73
50 2.20000 $110.00
100 1.98000 $198.00
500 1.54000 $770.00
1,000 1.27600 $1,276.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRL640PBF-ND
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Cantidad disponible 797
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRL640PBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 200V 17 A (Tc) 125 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRL640, SiHL640
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4 V, 5 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 10 A, 5 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 66nC @ 5V
Vgs (máx.) ±10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1800pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRL640PBF

13:37:56 11/17/2018