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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU9110PBF-ND
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Cantidad disponible 654
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFU9110PBF

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Descripción MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 100V 3.1 A (Tc) 2.5 W (Ta), 25 W (Tc) TO-251AA

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 1.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 25 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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  • Precio unitario $6.95000
  • 811-3700-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 3,000
Otros nombres *IRFU9110PBF

01:16:29 1/16/2019