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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFU120PBF-ND
Cantidad disponible 955
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFU120PBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 7.7 A (Tc) 2.5 W (Ta), 42 W (Tc) TO-251AA

Documentos y medios
Hojas de datos IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_120
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 360pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 42 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 270 mOhm a 4.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-251AA
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFU120PBF

12:55:47 2/24/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.97000 $0.97
10 0.86000 $8.60
100 0.67970 $67.97
500 0.52710 $263.55
1,000 0.41613 $416.13

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