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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFSL9N60APBF-ND
Cantidad disponible 988
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFSL9N60APBF

Descripción MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 9.2 A (Tc) 170 W (Tc) I2PAK

Documentos y medios
Hojas de datos IRFSL9N60A
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 18/Jul/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 750 mOhm a 5.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFSL9N60APBF

03:21:27 2/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.16000 $3.16
10 2.82400 $28.24
100 2.31590 $231.59
500 1.87530 $937.65
1,000 1.58158 $1,581.58

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