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IRFS11N50APBF Canal N Montaje en superficie 500V 11 A (Tc) 170 W (Tc) D2PAK
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFS11N50APBF-ND
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Cantidad disponible 3,000
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFS11N50APBF

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Descripción MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 500V 11 A (Tc) 170 W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFS11N50A
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Mult Devices 25/May/2018
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 520 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 52nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1423pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 75
Otros nombres *IRFS11N50APBF
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.26000 $3.26
75 2.61627 $196.22
150 2.38367 $357.55
525 1.93019 $1,013.35
1,050 1.62787 $1,709.26
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04:42:00 9/22/2018