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IRFRC20TRPBF Canal N Montaje en superficie 600V 2 A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) D-Pak
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.99000 $0.99
10 0.88800 $8.88
25 0.84280 $21.07
100 0.63200 $63.20
250 0.62600 $156.50
500 0.53572 $267.86
1,000 0.43641 $436.41
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  • Cinta y rollo (TR)  : IRFRC20PBFTR-ND
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  • Precio unitario: $0.41785
  • Digi-Reel®  : IRFRC20PBFDKR-ND
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  • Tubo  : IRFRC20PBF-ND
  • Cantidad mínima: 1
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  • Precio unitario: $0.96000
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFRC20TRRPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.80178
  • Cinta cortada (CT)  : IRFRC20TRRPBFCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.77000
  • Digi-Reel®  : IRFRC20TRRPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFRC20TRLPBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $0.80178
  • Cinta cortada (CT)  : IRFRC20TRLPBFCT-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,029 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.77000
  • Digi-Reel®  : IRFRC20TRLPBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,029 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRFRC20TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFRC20PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFRC20TRPBF
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Descripción MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 2 A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) D-Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFRC20, IRFUC20
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 25/May/2018
Atributos del producto
Escribir Descripción Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.4Ohm a 1.2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRFRC20TRPBF
IRFRC20PBFCT