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IRFRC20TRPBF Canal N Montaje en superficie 600V 2 A (Tc) 2.5 W (Ta), 42 W (Tc) D-Pak
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFRC20PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFRC20TRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 600V 2 A (Tc) 2.5 W (Ta), 42 W (Tc) D-Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFRC20, IRFUC20
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 25/May/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.4 Ohm a 1.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 2.5 W (Ta), 42 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
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IRFRC20PBFCT
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15:01:43 11/18/2018