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IRFR420APBF Canal N Montaje en superficie 500V 3.3 A (Tc) 83 W (Tc) D-Pak
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1 1.33000 $1.33
75 1.06787 $80.09
150 0.93433 $140.15
525 0.72461 $380.42
1,050 0.57206 $600.66
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFR420APBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFR420APBF

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Descripción MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 500V 3.3 A (Tc) 83 W (Tc) D-Pak

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_420A
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 1.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 340pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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00:18:00 10/24/2018