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1 0.75000 $0.75
10 0.66000 $6.60
25 0.62000 $15.50
100 0.45000 $45.00
250 0.43400 $108.50
500 0.37600 $188.00
1,000 0.32000 $320.00
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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : IRFL9110PBFTR-ND
  • Cantidad mínima: 2,500
  • Cantidad disponible: 12,500 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.30000
  • Digi-Reel®  : IRFL9110PBFDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 12,690 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

IRFL9110TRPBF

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key IRFL9110PBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFL9110TRPBF
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Descripción MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 1.1 A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) SOT-223

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFL9110
Diseño/especificación de PCN Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Hoja de datos de HTML IRFL9110
Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Embalaje Cinta cortada (CT) 
Estado de pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.2Ohm a 660mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-223
Paquete / Caja (carcasa) TO-261-4, TO-261AA
Número de pieza base IRFL9110
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres *IRFL9110TRPBF
IRFL9110PBFCT