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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFIBF30GPBF-ND
Cantidad disponible 676
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFIBF30GPBF

Descripción MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 900V 1.9 A (Tc) 35 W (Tc) TO-220-3

Documentos y medios
Hojas de datos IRFIBF30G
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 18/Jul/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.7 Ohm a 1.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 35 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, conductores aislados, paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFIBF30GPBF

22:21:40 6/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.19000 $4.19
10 3.73800 $37.38
100 3.06480 $306.48
500 2.48170 $1,240.85
1,000 2.09300 $2,093.00

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