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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD9120PBF-ND
Cantidad disponible 0
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD9120PBF

Descripción MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 100V 1 A (Ta) 1.3 W (Ta) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Documentos y medios
Hojas de datos IRFD9120, SiHFD9120
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 18nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 390pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 600 mOhm a 600 mA, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD9120PBF

18:31:45 2/25/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.12000 $1.12
10 0.99600 $9.96
100 0.78750 $78.75
500 0.61070 $305.35
1,000 0.48213 $482.13

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