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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD9010PBF-ND
Cantidad disponible 3,695
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFD9010PBF

Descripción MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Descripción detallada

Canal P Orificio pasante 50V 1.1 A (Tc) 1 W (Tc) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Documentos y medios
Hojas de datos IRFD9010, SiHFD9010
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 50V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 500 mOhm a 580 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 240pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 2,500
Otros nombres *IRFD9010PBF

05:02:32 6/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.50000 $1.50
10 1.32700 $13.27
100 1.04870 $104.87
500 0.81326 $406.63
1,000 0.64205 $642.05

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