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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFD110PBF-ND
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Cantidad disponible 20,187
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFD110PBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 100V 1 A (Ta) 1.3 W (Ta) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFD110
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 540 mOhm a 600 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.3nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 180pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 1.3 W (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa) 4-DIP (0.300", 7.62 mm)
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 100
Otros nombres *IRFD110PBF

00:16:46 11/21/2018