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25 1.62760 $40.69
100 1.26960 $126.96
250 1.23708 $309.27
500 1.07432 $537.16
1,000 0.91154 $911.54
2,500 0.89852 $2,246.30
5,000 0.83341 $4,167.04
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IRFBG30PBF

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Fabricante

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Número de pieza del fabricante IRFBG30PBF
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Descripción MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 3.1 A (Tc) 125W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado Tubo 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5Ohm a 1.9A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 980pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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