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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFBG20PBF-ND
Cantidad disponible 499
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFBG20PBF

Descripción MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 1000V 1.4 A (Tc) 54 W (Tc) TO-220AB

Documentos y medios
Hojas de datos IRFBG20,SiHFBG20
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1000V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 500pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 54 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11 Ohm a 840 mA, 10 V
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFBG20PBF

01:23:06 2/22/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.79000 $1.79
10 1.58800 $15.88
100 1.25480 $125.48
500 0.97310 $486.55
1,000 0.76824 $768.24

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