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100 1.51250 $151.25
500 1.17636 $588.18
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFBF20PBF-ND
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Cantidad disponible 497
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFBF20PBF

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Descripción MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 900V 1.7 A (Tc) 54 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFBF20
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 Ohm a 1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 490pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 54 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFBF20PBF

16:18:23 10/23/2018