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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFBF20LPBF-ND
Cantidad disponible 1,945
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRFBF20LPBF

Descripción MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 900V 1.7 A (Tc) 3.1 W (Ta), 54 W (Tc) I2PAK

Documentos y medios
Hojas de datos IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 18/Jul/2017
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 900V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 1.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8 Ohm a 1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 490pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 54 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFBF20LPBF

01:20:37 6/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.85000 $2.85
10 2.57300 $25.73
100 2.06740 $206.74
500 1.60798 $803.99
1,000 1.33233 $1,332.33

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