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1 3.54000 $3.54
50 2.84620 $142.31
100 2.59330 $259.33
500 2.09990 $1,049.95
1,000 1.77100 $1,771.00
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFBE30SPBF-ND
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Cantidad disponible 824
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFBE30SPBF

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Descripción MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 800V 4.1 A (Tc) 125 W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFBE30S,L, SiHFBE30S,L
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 Ohm a 2.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 78nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFBE30SPBF
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IRFBE30STRLPBF-ND
  • Cantidad mínima: 800  Agotado ?
  • Cantidad disponible: 0
  • Precio unitario: $2.12025

16:39:01 10/23/2018