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1 3.15000 $3.15
10 2.81300 $28.13
100 2.30690 $230.69
500 1.86800 $934.00
1,000 1.57542 $1,575.42
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB9N65APBF-ND
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Cantidad disponible 1,216
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFB9N65APBF

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Descripción MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 8.5 A (Tc) 167 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFB9N65A
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 930 mOhm a 5.1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1417pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 167 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRFB9N65APBF

23:24:15 12/14/2018