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50 2.48400 $124.20
100 2.23570 $223.57
500 1.73886 $869.43
1,000 1.44076 $1,440.76
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRFB9N60APBF-ND
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Cantidad disponible 2,888
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRFB9N60APBF

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Descripción MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 600V 9.2 A (Tc) 170 W (Tc) TO-220AB

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Documentos y medios
Hojas de datos IRFB9N60A, SiHFB9N60A
Packaging Information
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Hoja de datos de HTML Packaging Information
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 750 mOhm a 5.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 49nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1400pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 170 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Por lo general se compran juntos
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  • Precio unitario $3.42000
  • SIHF15N60E-E3-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRFB9N60APBF

02:18:46 12/14/2018