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IRF9640STRLPBF Canal P Montaje en superficie 200V 11 A (Tc) 3 W (Ta), 125 W (Tc) D2PAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF9640STRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF9640STRLPBF

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Descripción MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 200V 11 A (Tc) 3 W (Ta), 125 W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF9640S,L, SiHF9640S,L
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 500 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 44nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta), 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRF9640STRLPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad disponible: 12,800 - Inmediata
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 13,142 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

11:44:09 11/14/2018