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IRF9510STRLPBF Canal P Montaje en superficie 100V 4 A (Tc) 3.7 W (Ta), 43 W (Tc) D2PAK
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF9510STRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF9510STRLPBF

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Descripción MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Descripción detallada

Canal P Montaje en superficie 100V 4 A (Tc) 3.7 W (Ta), 43 W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF9510S
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal P
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 2.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.7nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 200pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7 W (Ta), 43 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IRF9510STRLPBFCT
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 2,438 - Inmediata
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12:57:25 11/15/2018