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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF840ALPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF840ALPBF

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Descripción MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 8 A (Tc) 3.1 W (Ta), 125 W (Tc) I2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF840ASPBF, ALPBF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 18/Jul/2017
Mult Devices 25/May/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 850 mOhm a 4.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1018pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000
Otros nombres *IRF840ALPBF

15:30:09 12/15/2018