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100 1.90330 $190.33
500 1.48032 $740.16
1,000 1.22656 $1,226.56
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF830ALPBF-ND
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Cantidad disponible 955
Disponible para envío inmediato
Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF830ALPBF

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Descripción MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
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Plazo estándar del fabricante 18 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 500V 5 A (Tc) 3.1 W (Ta), 74 W (Tc) I2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF830AS,AL, SiHF830AS,AL
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Mult Devices 18/Jul/2017
Mult Devices 25/May/2018
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 620pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 74 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres *IRF830ALPBF

05:16:38 10/18/2018