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IRF720STRRPBF Canal N Montaje en superficie 400V 3.3 A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) D2PAK
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800 1.15579 $924.63
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF720STRRPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF720STRRPBF

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Descripción MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 400V 3.3 A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF720SPBF
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 400V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.8Ohm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 410pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 800
Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 1,732 - Inmediata
  • Precio unitario: $1.66000

10:44:44 6/17/2019