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IRF640SPBF Canal N Montaje en superficie 200V 18 A (Tc) 3.1 W (Ta), 130 W (Tc) D2PAK
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50 1.61040 $80.52
100 1.44940 $144.94
500 1.12728 $563.64
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF640SPBF-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF640SPBF

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Descripción MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 10 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 200V 18 A (Tc) 3.1 W (Ta), 130 W (Tc) D2PAK

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Documentos y medios
Hojas de datos IRF640S(L)/SIHF640S(L)
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 200V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 180 mOhm a 11 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 70nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1300pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.1 W (Ta), 130 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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08:19:01 12/13/2018