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IRF540STRLPBF Canal N Montaje en superficie 100V 28 A (Tc) 3.7 W (Ta), 150 W (Tc) D²PAK (TO-263)
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF540STRLPBFCT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

IRF540STRLPBF

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Descripción MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 28 A (Tc) 3.7 W (Ta), 150 W (Tc) D²PAK (TO-263)

Copiar   Canal N Montaje en superficie 100V 28 A (Tc) 3.7 W (Ta), 150 W (Tc) D²PAK (TO-263)
Documentos y medios
Hojas de datos IRF540S
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 28 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 77 mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 72nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1700pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7 W (Ta), 150 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Envase estándar ? 1
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23:01:33 3/18/2019