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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IRF520SPBF-ND
Cantidad disponible 1,000
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IRF520SPBF

Descripción MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 100V 9.2 A (Tc) 3.7 W (Ta), 60 W (Tc) D2PAK

Documentos y medios
Hojas de datos IRF520S, SiHF520S Datasheet
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Ensamble/origen de PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta y rollo (TR) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 270 mOhm a 5.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 360pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3.7 W (Ta), 60 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor D2PAK
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,000

05:59:43 8/18/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.58000 $1.58
10 1.39700 $13.97
100 1.10450 $110.45
500 0.85652 $428.26
1,000 0.67620 $676.20

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