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2N7002K-T1-GE3 Canal N Montaje en superficie 60V 300mA (Ta) 350mW (Ta) TO-236
Precio y compra
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Cantidad
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Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.22000 $0.22
10 0.18000 $1.80
25 0.15040 $3.76
100 0.07350 $7.35
250 0.07232 $18.08
500 0.06128 $30.64
1,000 0.04259 $42.59

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Paquete alternativo
  • Cinta y rollo (TR)  : 2N7002K-T1-GE3TR-ND
  • Cantidad mínima: 3,000
  • Cantidad disponible: 21,000 - Inmediata
  • Precio unitario: $0.03958
  • Digi-Reel®  : 2N7002K-T1-GE3DKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 23,100 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®

2N7002K-T1-GE3

Hoja de datos
Número de pieza de Digi-Key 2N7002K-T1-GE3CT-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante 2N7002K-T1-GE3
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Descripción MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
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Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 300mA (Ta) 350mW (Ta) TO-236

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Documentos y medios
Hojas de datos 2N7002K Datasheet
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
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Atributos del producto
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Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Empaquetado Cinta cortada (CT) 
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 300mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 0.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 30pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 350mW (Ta)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de pieza base 2N7002
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado RoHS Cumple con RoHS3
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar 1
Otros nombres 2N7002K-T1-GE3CT