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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key 2N7002-T1-E3CT-ND
Cantidad disponible 61,470
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

2N7002-T1-E3

Descripción MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Plazo estándar del fabricante 22 semanas
Descripción detallada

Canal N Montaje en superficie 60V 115 mA (Ta) 200 mW (Ta) TO-236

Documentos y medios
Hojas de datos 2N7000,02,VQ1000J/P,BS170 Datasheet
Archivo de video MOSFET Technologies for Power Conversion
Modelos EDA / CAD ? Descargar de Ultra Librarian
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Vishay Siliconix
Serie -
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 115 mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5 V, 10 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 Ohm a 500 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.5 V a 250 µA
Vgs (máx.) ±20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 50pF @ 25V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 200 mW (Ta)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor TO-236
Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres 2N7002-T1-E3CT

21:23:38 7/16/2018

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.79000 $0.79
10 0.66300 $6.63
100 0.49750 $49.75
500 0.36482 $182.41
1,000 0.28191 $281.91

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
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