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TPH3212PS Canal N Orificio pasante 650V 27 A (Tc) 104W (Tc) TO-220AB
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1 13.95000 $13.95
10 12.68000 $126.80
50 11.72900 $586.45
100 10.77800 $1,077.80
250 9.82700 $2,456.75
500 9.19300 $4,596.50

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPH3212PS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TPH3212PS

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Descripción GANFET N-CH 650V 27A TO220
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Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 27 A (Tc) 104W (Tc) TO-220AB

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Categorías
Fabricante Transphorm
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 27 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 72mOhm a 17A, 8V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.6V a 400uA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 14nC @ 8V
Vgs (máx.) ±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1130pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 104W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
California Prop 65
Para usar con
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