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TPH3207WS Canal N Orificio pasante 650V 50 A (Tc) 178 W (Tc) TO-247
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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPH3207WS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TPH3207WS

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Descripción MOSFET N-CH 650V 50A TO247
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Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 50 A (Tc) 178 W (Tc) TO-247

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Documentos y medios
Hojas de datos TPH3207WS Datasheet
Notas de aplicación Drain Voltage,Avalanche Ratings for GaN FETs
Módulos de capacitación sobre el producto GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies
Archivo de video Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology
Cambio de estado de la pieza PCN Mult Dev NRND 20/May/2018
Hoja de datos de HTML TPH3207WS Datasheet
Modelos de simulación TPH3207WS Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Transphorm
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 50 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41 mOhm a 32 A, 8 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.65 V a 700 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42nC @ 8V
Vgs (máx.) ±18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2197pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 178 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
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