Agregar a favoritos
TPH3205WSB Canal N Orificio pasante 650V 36 A (Tc) 125 W (Tc) TO-247
Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 24.64000 $24.64
10 22.79200 $227.92
25 20.94400 $523.60
180 19.46561 $3,503.81

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TPH3205WSB-ND
Copiar   TPH3205WSB-ND
Cantidad disponible 248
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Copiar   PartSearchCore.DksusService3.PidVid
Número de pieza del fabricante

TPH3205WSB

Copiar   TPH3205WSB
Descripción MOSFET N-CH 650V 36A TO247
Copiar   MOSFET N-CH 650V 36A TO247
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 36 A (Tc) 125 W (Tc) TO-247

Copiar   Canal N Orificio pasante 650V 36 A (Tc) 125 W (Tc) TO-247
Documentos y medios
Hojas de datos TPH3205WSB
Módulos de capacitación sobre el producto GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies
Archivo de video Welcome to the GaN Revolution!
Transform talks latest developments in GaN technology
Cambio de estado de la pieza PCN Mult Dev NRND 20/May/2018
Modelos de simulación TPH3205WSB(QA) Spice Model
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante Transphorm
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza No para diseños nuevos
Tipo FET Canal N
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 36 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8 V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 22 A, 8 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.6 V a 700 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42nC @ 8V
Vgs (máx.) ±18 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2200pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 125 W (Tc)
Temperatura de operación -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Producto asociado
  • SI8273GB-IS1 - Silicon Labs | 336-3540-5-ND DigiKey Electronics
  • SI8273GB-IS1
  • Silicon Labs
  • DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
  • Precio unitario $2.40000
  • 336-3540-5-ND
  • SI8230BB-D-IS - Silicon Labs | SI8230BB-D-IS-ND DigiKey Electronics
  • SI8230BB-D-IS
  • Silicon Labs
  • DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
  • Precio unitario $1.71000
  • SI8230BB-D-IS-ND
  • SI8273AB-IS1 - Silicon Labs | 336-3534-5-ND DigiKey Electronics
  • SI8273AB-IS1
  • Silicon Labs
  • DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
  • Precio unitario $2.40000
  • 336-3534-5-ND
  • SI8273GBD-IS1 - Silicon Labs | 336-3541-5-ND DigiKey Electronics
  • SI8273GBD-IS1
  • Silicon Labs
  • DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
  • Precio unitario $2.40000
  • 336-3541-5-ND
También le puede interesar
  • TPH3207WS - Transphorm | TPH3207WS-ND DigiKey Electronics
  • TPH3207WS
  • Transphorm
  • MOSFET N-CH 650V 50A TO247
  • Precio unitario $37.84000
  • TPH3207WS-ND
  • TPH3205WSBQA - Transphorm | TPH3205WSBQA-ND DigiKey Electronics
  • TPH3205WSBQA
  • Transphorm
  • MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  • Precio unitario $26.97000
  • TPH3205WSBQA-ND
  • TP65H035WS - Transphorm | TP65H035WS-ND DigiKey Electronics
  • TP65H035WS
  • Transphorm
  • MOSFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
  • Precio unitario $23.23000
  • TP65H035WS-ND
  • TDHBG2500P100-KIT - Transphorm | TDHBG2500P100-KIT-ND DigiKey Electronics
  • TDHBG2500P100-KIT
  • Transphorm
  • 2.5KW HB, BUCK OR BOOST EVAL KIT
  • Precio unitario $250.00000
  • TDHBG2500P100-KIT-ND
  • C2M0025120D - Cree/Wolfspeed | C2M0025120D-ND DigiKey Electronics
  • C2M0025120D
  • Cree/Wolfspeed
  • MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
  • Precio unitario $73.29000
  • C2M0025120D-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 180

15:54:18 11/14/2018