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TP65H035WS Canal N Orificio pasante 650V 46.5 A (Tc) 156W (Tc) TO-247-3
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1 19.47000 $19.47
10 17.70000 $177.00
30 16.37267 $491.18
120 15.04500 $1,805.40
270 13.71752 $3,703.73

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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key TP65H035WS-ND
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Fabricante

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Número de pieza del fabricante

TP65H035WS

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Descripción GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
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Plazo estándar del fabricante 15 semanas
Descripción detallada

Canal N Orificio pasante 650V 46.5 A (Tc) 156W (Tc) TO-247-3

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Categorías
Fabricante Transphorm
Serie -
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 46.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 12V
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.8V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 36nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500pF @ 400V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 156W (Tc)
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
California Prop 65
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